美光：HBM 内存消耗 3 倍晶圆量，明年产能基本预定完毕

美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，相对于传统内存，HBM 对晶圆量的消耗明显更高。

美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍，并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧，在未来的 HBM4 上这一比值将进一步提升。

这一高比值有相当一部分原因在 HBM 的低良率上。HBM 内存采用多层 DRAM 内存 TSV 连接堆叠而成，一层出现问题就意味着整个堆栈报废。目前 HBM 的良率仅有约 2/3，明显低于传统内存产品。

目前，由于 AI 领域的蓬勃发展，热门产品 HBM 一直处于供不应求的状态。SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄，三星也早已完成了今年大部分产能的配额谈判。梅赫罗特拉此次更是进一步表示，美光的 HBM 产能连明年的都基本被预定完毕。

HBM 的高需求，加之其对晶圆的高消耗，挤压了其他 DRAM 的投片量。美光表示非 HBM 内存正面临供应紧张的局面。

此外，美光宣称其 8Hi HBM3E 内存已开始大批量出货，可在截至 8 月末的本财年中贡献数亿美元的收入。

对于 12 层堆叠 36GB HBM3E，梅赫罗特拉表示这一未来产品已于本月初完成采样，目标到 2025 年实现大批量生产。