美光:HBM 内存消耗 3 倍晶圆量,明年产能基本预定完毕

2024-03-21

美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)表示,相对于传统内存,HBM 对晶圆量的消耗明显更高。

美光表示,在同一节点生产同等容量的情况下,目前最先进的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍,并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧,在未来的 HBM4 上这一比值将进一步提升。

这一高比值有相当一部分原因在 HBM 的低良率上。HBM 内存采用多层 DRAM 内存 TSV 连接堆叠而成,一层出现问题就意味着整个堆栈报废。目前 HBM 的良率仅有约 2/3,明显低于传统内存产品。

目前,由于 AI 领域的蓬勃发展,热门产品 HBM 一直处于供不应求的状态。SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄,三星也早已完成了今年大部分产能的配额谈判。梅赫罗特拉此次更是进一步表示,美光的 HBM 产能连明年的都基本被预定完毕

HBM 的高需求,加之其对晶圆的高消耗,挤压了其他 DRAM 的投片量。美光表示非 HBM 内存正面临供应紧张的局面

此外,美光宣称其 8Hi HBM3E 内存已开始大批量出货,可在截至 8 月末的本财年中贡献数亿美元的收入。

对于 12 层堆叠 36GB HBM3E,梅赫罗特拉表示这一未来产品已于本月初完成采样,目标到 2025 年实现大批量生产。


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